[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811343321.6 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111180504A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 汪广羊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漂移区；栅极结构；漏极区；源极区；场氧层；多晶硅场板；所述器件还设有至少两组场氧接触孔，每组包括至少一个场氧接触孔，越靠近漏极区的组的场氧接触孔孔径越小、穿入场氧层越浅。本发明通过设置深浅不一的场氧接触孔，使得距漏极区近的场氧层适当变厚、距漏极区远的场氧层适当变薄(即距漏极区近的接触孔底部到场氧层底部的厚度较厚、距漏极区远的接触孔底部到场氧层底部的厚度较薄)，既能够尽量地增强耗尽，又能够解决场氧层的厚度会限制BV的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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