[发明专利]一种高电流密度晶格失配太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高电流密度晶格失配太阳能电池及其制备方法，采用外延生长技术，在最接近衬底的那个子电池的基区与发射区之间生长具有一定带隙组合的应变补偿量子阱结构。该量子阱所采用的材料光学带隙低于与其毗邻的基区和发射区材料光学带隙，势阱材料和势垒材料厚度均小于临界厚度，同时，与毗邻材料晶格常数失配度不超过10％。此设计方案可以将电子或空穴存储于量子阱内，提高少数载流子收集效率，进而提高光电转换效率；同时，采用应变补偿结构的量子阱，可有效释放应力；另外，利用GaInNAs材料的特有性质，发挥位错阻挡层的作用，降低后续生长的材料中的穿透位错密度，提高材料晶体质量，最终提升电池转换效率。

主权项

1.一种高电流密度晶格失配太阳能电池，所述太阳能电池由衬底及按层状结构依次叠加的多个子电池构成，其特征在于：在最接近衬底的那个子电池的基区与发射区之间沉积有应变补偿量子阱，将电子或空穴存储于量子阱内，以提高少数载流子收集效率，同时释放晶格失配引入的应力并过滤位错。