[发明专利]片上键合Si/III-V量子点单光子源及其制备方法有效
| 申请号： | 201811343981.4 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111181006B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 许兴胜;秦璐;靳思玥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22;H01S5/02345 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种片上键合Si/III‑V量子点单光子源及其制备方法，该量子点单光子源包括：波导耦合器件；量子点单光子源，键合于波导耦合器件的垂直上方，该量子点单光子源采用以III‑V族量子点为有源层的外延片制作。本发明提出的量子点单光子源与SOI波导耦合器件键合形成的混合型单光子源结构可以实现片上单光子光源的发光和光传输的小型化和集成化；使用金属辅助键合可以形成大面积电注入，减少电流聚集导致的局部温度过高；垂直结构进一步节省片上空间，并且可以键合不同种材料，扩展了光网络的可使用材料。 | ||
| 搜索关键词： | 片上键合 si iii 量子 光子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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