[发明专利]一种无铝的高效五结太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201811344086.4 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN109346550A 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: 黄珊珊;张小宾;潘旭;黄辉廉;张露;刘建庆 申请(专利权)人: 中山德华芯片技术有限公司
主分类号: H01L31/0687 分类号: H01L31/0687;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 冯炳辉
地址: 528437 广东省中山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种无铝的高效五结太阳能电池,包括Ge衬底,Ge衬底为p型Ge单晶片;在Ge衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、第一钙钛矿子电池、第二钙钛矿子电池;GaInAs/GaInP缓冲层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接,GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接,所述GaInAs子电池和第一钙钛矿子电池之间通过第三隧道结连接,第一钙钛矿子电池和第二钙钛矿子电池之间通过第四隧道结连接。本发明可以提高宽带隙材料的子电池收集效率,增加短路电流,节约生产成本,最终发挥五结电池的优势,提高电池整体光电转换效率。
搜索关键词: 子电池 钙钛矿 隧道结 太阳能电池 缓冲层 衬底 电池 光电转换效率 节约生产成本 衬底上表面 宽带隙材料 层状叠加 短路电流 收集效率 依次设置 单晶片
【主权项】:
1.一种无铝的高效五结太阳能电池,包括有Ge衬底,其特征在于:所述Ge衬底为p型Ge单晶片;在所述Ge衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、第一钙钛矿子电池、第二钙钛矿子电池;所述GaInAs/GaInP缓冲层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接,所述GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接,所述GaInAs子电池和第一钙钛矿子电池之间通过第三隧道结连接,所述第一钙钛矿子电池和第二钙钛矿子电池之间通过第四隧道结连接。
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