[发明专利]一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构

摘要

本发明公开了一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构，为叠置于晶格渐变缓冲层之上的GaInNAs/AlGaInAs周期结构，由GaInNAs、AlGaInAs两种合金材料组成，GaInAs子电池叠置于该GaInNAs/AlGaInAs周期结构之上，GaInNAs/AlGaInAs周期结构的GaInNAs折射率较AlGaInAs折射率高，且GaInNAs与AlGaInAs之间及GaInNAs与GaInAs子电池的基区材料GaInAs之间存在晶格失配，失配度不超过3％，这种应变补偿结构有助于应力的释放和位错滑移。本发明可以降低失配引入的外延层中的缺陷密度，提高材料质量，可以提升GaInAs子电池抗辐照性能，增加电池的整体短路电流、开路电压、填充因子等技术指标，提高电池整体光电转换效率。

主权项

1.一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构，其特征在于：所述DBR结构为叠置于晶格失配多结太阳能电池的晶格渐变缓冲层之上的GaInNAs/AlGaInAs周期结构，由GaInNAs、AlGaInAs两种合金材料组成，晶格失配多结太阳能电池的GaInAs子电池叠置于该GaInNAs/AlGaInAs周期结构之上，其中，所述GaInNAs/AlGaInAs周期结构的GaInNAs折射率较AlGaInAs折射率高，且GaInNAs与AlGaInAs之间及GaInNAs与GaInAs子电池的基区材料GaInAs之间存在晶格失配，失配度不超过3％，这种应变补偿结构有助于应力的释放和位错滑移。