[发明专利]MEMS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811344843.8 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111170265B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王贤超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，MEMS器件包括：具有背腔的基板；位于基板上方的振动电极，所述振动电极包括支撑部和位于支撑部之间的振动部；位于振动电极上方的上电极板；位于支撑部与上电极板之间的悬梁部，悬梁部连接所述支撑部上表面以及上电极板下表面；位于所述基板上的牺牲层，所述牺牲层还位于上电极板部分下表面，牺牲层、上电极板与基板之间围成空腔，背腔、开口与空腔相连通，悬梁部以及振动电极位于空腔内，且所述悬梁部的材料致密度大于牺牲层的材料致密度。本发明通过采用悬梁部将振动电极固定于上电极板的方式，改善MEMS器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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