[发明专利]半导体存储器装置与半导体存储器装置的操作方法有效
| 申请号： | 201811344896.X | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110097912B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 妹尾真言;村上洋树;山内一贵 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/22 | 分类号： | G11C16/22;G11C16/30;G11C29/10;G11C29/12;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可执行高可靠度的上电程序的半导体存储器装置与半导体存储器装置的操作方法。本发明的快闪存储器的控制器于外部的电源被提供时，通过与时脉信号同步读取ROM所储存的代码以执行上电程序。此外，当检测出电源的电压于上电程序过程中下降至临界值以下时，控制器还将时脉信号去活化，以停止上电程序，并且当检测出电源的电压超过临界值时，将时脉信号活化，以恢复上电程序。藉由上述操作，可提高上电程序的可靠性，并且可防止诱发不稳定的操作或者错误的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置的操作方法，其特征在于，上述半导体存储器装置包含用以控制一存储器单元阵列相关操作的一控制器，上述方法包括：由上述控制器执行以下步骤：于一电源电压自外部被提供时，通过与一时脉信号同步读取一只读存储器所储存的代码执行一上电程序；于上述上电程序中，当上述电源电压下降至一临界值以下时，将上述时脉信号去活化，以停止上述上电程序；以及当上述电源电压恢复至超过上述临界值时，将上述时脉信号活化，以恢复上述上电程序。
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