[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201811345083.2 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109801971B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 黄寅灿;申宪宗;郑圣宪;李斗铉;全辉璨;安学润 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括:基板,包括第一有源图案,第一有源图案从基板的顶表面垂直地突出;第一源极/漏极图案,填充形成在第一有源图案的上部分中的第一凹陷;第一金属硅化物层,在第一源极/漏极图案上,第一金属硅化物层包括位于第一源极/漏极图案的第一表面上的第一部分和第二部分;以及第一接触,与第一金属硅化物层的第二部分接触。第一部分的厚度可以不同于第二部分的厚度。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:基板,包括第一有源图案,所述第一有源图案从所述基板的顶表面垂直地突出;第一源极/漏极图案,填充所述第一有源图案的上部分中的第一凹陷;第一金属硅化物层,在所述第一源极/漏极图案上,所述第一金属硅化物层包括在所述第一源极/漏极图案的第一表面上的第一部分和第二部分;以及第一接触,与所述第一金属硅化物层的所述第二部分接触,其中所述第一部分的厚度不同于所述第二部分的厚度。
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