[发明专利]半导体结构及其制备工艺以及半导体器件在审
| 申请号： | 201811345558.8 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111180417A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 林鼎佑;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体结构及其制备工艺以及半导体器件。半导体结构包括硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层、阻挡层、硅穿孔以及电极。第一氧化物层和第二氧化物层由下至上依序设于硅基层上，第二氧化物层的上表面开设有容纳槽。阻挡层设于第二氧化物层之上，阻挡层的材质硬度大于第二氧化物层的材质硬度。硅穿孔开设于硅基层、第一氧化物层和第二氧化物层并填充有导电材料，硅穿孔的上端显露于容纳槽的槽底。电极设于容纳槽内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 工艺 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
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