[发明专利]半导体工艺装置及其工作方法在审
| 申请号： | 201811345769.1 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109545711A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 沈雪;苏延洪;柯汎宗;黄志凯;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体工艺装置及其工作方法，其中半导体工艺装置包括：热板，用于承载且加热晶圆，当加热所述晶圆时产生工艺副产物；外盖，用于与所述热板盖合形成腔室；贯通所述外盖的第一排气孔；位于热板和外盖之间的内盖，所述内盖的材料吸附所述工艺副产物。利用所述半导体工艺装置能够有效降低对下一片晶圆的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体工艺 晶圆 外盖 工艺副产物 内盖 热板 加热 材料吸附 排气孔 热板盖 腔室 承载 贯通 污染 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺装置，其特征在于，包括：热板，用于承载且加热晶圆，当加热所述晶圆时产生工艺副产物；外盖，用于与所述热板盖合形成腔室；贯通所述外盖的第一排气孔；位于热板和外盖之间的内盖，所述内盖的材料吸附所述工艺副产物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
