[发明专利]硅单晶的制造装置以及制造方法有效
| 申请号： | 201811346532.5 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109778313B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 佐川泰之 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B13/20;C30B13/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李婷;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及的硅单晶的制造装置（1）具备：感应加热线圈（41），其具有使加热硅原料材料（SL）而获得的熔融带区域（M）凝固而进行硅单晶（SM）的生长的功能，形成为圆环状的、下表面的外缘位于比该下表面的内缘靠下侧的位置的形状；向熔融带区域（M）吹送掺杂气体的掺杂气体吹送机构（6）；以及向熔融带区域（M）中的比掺杂气体的供给位置靠下方的外周部吹送冷却气体的冷却气体吹送机构（7）。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅单晶的制造装置，前述硅单晶的制造装置使用悬浮区熔法，前述硅单晶的制造装置的特征在于，具备：感应加热线圈，其具有使加热硅原料材料而获得的熔融带区域凝固而进行硅单晶的生长的功能，前述感应加热线圈形成为圆环状的、下表面的外缘位于比该下表面的内缘靠下侧的位置的形状；掺杂气体吹送机构，其向前述熔融带区域吹送掺杂气体；以及冷却气体吹送机构，其向前述熔融带区域中的比前述掺杂气体的供给位置靠下方的外周部吹送冷却气体。
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