[发明专利]输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器在审
| 申请号： | 201811346609.9 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111181544A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 田凯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H03K19/0175;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 陈建焕;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种输入接收器电路及智能优化的方法和半导体存储器。输入接收器电路包括检测单元，模式控制单元，双端差分单元和单端CMOS单元。检测单元用于获取芯片的工作频率；模式控制单元与检测单元连接，用于根据检测单元获取的工作频率控制输入接收器进入双端差分输入模式和单端CMOS输入模式中的一种；双端差分单元和单端CMOS单元均与模式控制单元连接，差分输入单元用于在双端差分输入模式下处理高速的数据传输；单端CMOS单元用于在单端CMOS输入模式下处理低速的数据传输。本发明在重度应用时，选择高速处理数据模式，提高数据处理速度，在轻度应用下，选择处理低速的数据传输，减少电路功耗，从而达到数据处理速度与功耗的最优化。 | ||
| 搜索关键词： | 输入 接收器 电路 智能 优化 方法 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
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