[发明专利]一种高平坦度异质集成薄膜结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种高平坦度异质集成薄膜结构的制备方法，包括提供具有注入面的单晶晶片；从注入面向单晶晶片进行离子注入形成注入缺陷层，该注入缺陷层的上方形成单晶薄膜；将注入面与支撑衬底直接键合，得到包括单晶晶片和支撑衬底的第一复合结构；对第一复合结构进行退火处理，使得第一复合结构沿着注入缺陷层剥离，得到包括损伤层、单晶薄膜和支撑衬底的第二复合结构；通过离子束对第二复合结构进行表面处理以除去损伤层并进行抛光，得到包括单晶薄膜和支撑衬底的高平坦度异质集成薄膜结构。本发明的制备方法得到的集成薄膜结构不存在晶格失配的问题，单晶薄膜致密而具有高的质量，同时解决了异质集成薄膜结构的表面粗糙度难以处理的问题。

主权项

1.一种高平坦度异质集成薄膜结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括步骤：S1，提供具有注入面的单晶晶片；S2，从所述注入面向单晶晶片进行离子注入，使得注入离子到达预设深度并在预设深度处形成注入缺陷层，该注入缺陷层的上方形成单晶薄膜；S3，将所述注入面与一支撑衬底直接键合，得到包括单晶晶片和支撑衬底的第一复合结构；S4，对第一复合结构进行退火处理，使得第一复合结构沿着注入缺陷层剥离，得到第二复合结构，其中，注入缺陷层形成损伤层，第二复合结构包括损伤层、单晶薄膜和支撑衬底；S5，通过离子束对第二复合结构进行表面处理以除去损伤层并进行抛光处理，得到包括单晶薄膜和支撑衬底的高平坦度异质集成薄膜结构。