[发明专利]SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法有效
| 申请号： | 201811349359.4 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109540969B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;王盛凯;白云;韩忠霖;汤益丹;田晓丽;陈宏;杨成樾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 崔亚松 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种SiC氧化中SiC‑SiO |
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| 搜索关键词： | sic 氧化 sio2 界面 杂质 类型 位置 分布 测定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法，其特征在于，包括：提供一个包含SiC‑Si16O2‑Si18O2或SiC‑Si18O2‑Si16O2结构的SiC衬底样品，所述SiC衬底样品由SiC氧化获得；将所述SiC衬底样品放置在真空腔体中，对所述SiC衬底样品匀速加热，不同温度下SiO2与不同类型的碳杂质反应，生成C16O和C18O，并逐渐从界面脱附进入所述真空腔体中；检测所述真空腔体内的C16O+和C18O+的离子电流；分析C16O+和C18O+离子电流的大小随温度的变化曲线判断碳杂质的类型；分析C16O+和C18O+离子电流的大小随时间的变化关系，确定C16O+和C18O+在样品中的扩散机制，利用扩散方程得到不同位置的碳杂质浓度。
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