[发明专利]采用磁控溅射技术高通量制备Co-Al-W基合金薄膜的方法有效
| 申请号： | 201811350384.4 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109306461B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 沙江波;管琪;李艳;周春根 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 北京航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11668 | 代理人： | 墨伟;程连贞 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用磁控溅射技术高通量制备Co‑Al‑W基合金薄膜的方法，包括如下步骤：(1)以Co‑Al‑W基多元合金元素为合成原料，利用真空非自耗电弧熔炼技术，制备靶材A、靶材B和靶材C，靶材A包括特征元素X，靶材B包括特征元素Y，靶材C包括除特征元素X和特征元素Y之外的Co‑Al‑W基多元合金元素；(2)选取基体并将其安装在磁控溅射设备的夹具上，将步骤(1)制备的靶材A、靶材B和靶材C分别放置在磁控溅射设备的三个靶位上，利用磁控溅射技术，制备Co‑Al‑W基合金薄膜。本方法作为Co‑Al‑W基合金材料的高通量制备技术操作简单，且得到的薄膜材料便于高通量表征工作的开展。 | ||
| 搜索关键词： | 靶材 制备 特征元素 高通量 磁控溅射技术 薄膜 磁控溅射设备 多元合金 夹具 薄膜材料 电弧熔炼 合成原料 技术操作 基合金 靶位 | ||
【主权项】：
1.一种采用磁控溅射技术高通量制备Co‑Al‑W基合金薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以Co‑Al‑W基多元合金元素为合成原料，利用真空非自耗电弧熔炼技术，制备靶材A、靶材B和靶材C，靶材A包括特征元素X，靶材B包括特征元素Y，靶材C包括除特征元素X和特征元素Y之外的Co‑Al‑W基多元合金元素；(2)选取基体并将其安装在磁控溅射设备的夹具上，将步骤(1)制备的靶材A、靶材B和靶材C分别放置在磁控溅射设备的三个靶位上，利用磁控溅射技术，制备Co‑Al‑W基合金薄膜。
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