[发明专利]静态随机存取存储器装置在审

专利信息
申请号: 201811350862.1 申请日: 2018-11-14
公开(公告)号: CN109801654A 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 桑吉夫库马尔甄恩;阿图尔卡多奇 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/417 分类号: G11C11/417;G11C7/06;G11C7/10;G11C7/12;G11C8/08
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种静态随机存取存储器装置,静态随机存取存储器装置包括电压输入端、电平移位器、存储器单元以及读出放大器。电压输入端被配置成接收处于第一电压电平的第一信号的电压输入端。电平移位器连接到电压输入端以接收第一信号,且电平移位器的输出端被配置成输出处于第二电压电平的第二信号,第二电压电平高于第一电压电平。存储器单元具有字线及位线。字线连接到电平移位器的输出端以选择性接收第二信号,位线连接到电压输入端以选择性接收第一信号。读出放大器连接到位线且被配置成提供存储器单元的输出。读出放大器具有读出放大器输入,读出放大器输入连接到电平移位器的输出端子以选择性接收第二信号。
搜索关键词: 电平移位器 电压输入端 读出放大器 电压电平 静态随机存取存储器 存储器单元 选择性接收 第二信号 输出端 位线 字线 配置 输出 输出端子 输入连接
【主权项】:
1.一种静态随机存取存储器(SRAM)装置,包括:电压输入端,被配置成接收处于第一电压电平的第一信号;电平移位器,连接到接收所述第一信号的所述电压输入端,所述电平移位器的输出端被配置成输出处于第二电压电平的第二信号,所述第二电压电平高于所述第一电压电平;存储器单元,包含字线以及位线,所述字线连接到所述电平移位器的所述输出端以选择性地接收处于所述第二电压电平的所述第二信号,所述位线连接到所述电压输入端以选择性地接收处于所述第一电压电平的所述第一信号;以及读出放大器,连接到所述位线且被配置成提供所述存储器单元的输出,所述读出放大器具有读出放大器输入,所述读出放大器输入连接到所述电平移位器的所述输出端以选择性地接收处于所述第二电压电平的所述第二信号。
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