[发明专利]离子注入装置及离子注入装置的控制方法有效
| 申请号： | 201811351479.8 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109817503B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木玄 | 申请（专利权）人： | 住友重机械离子科技株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 任玉敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明根据需要提高离子注入装置的质量分辨率。质量分析装置(22)具备：质量分析磁铁(22a)，对通过引出电极从离子源引出的离子束施加磁场而使其偏转；质谱分析狭缝(22b)，设置于质量分析磁铁(22a)的下游，且使偏转的离子束中所希望的离子种的离子束选择性地通过；及透镜装置(22c)，设置于质量分析磁铁(22a)与质谱分析狭缝(22b)之间，且对朝向质谱分析狭缝(22b)的离子束施加磁场及电场中的至少一种来调整离子束的收敛及发散。质量分析装置(22)在隔着质谱分析狭缝(22b)的上游侧至下游侧为止的规定的调整范围内，利用透镜装置(22c)来改变通过质谱分析狭缝(22b)的离子束的收敛位置，由此调整质量分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入装置，其具备包括离子源、引出电极及质量分析装置的离子束生成单元，该离子注入装置的特征在于，所述质量分析装置具备：质量分析磁铁，对通过所述引出电极从所述离子源引出的离子束施加磁场而使其偏转；质谱分析狭缝，设置于所述质量分析磁铁的下游，且使偏转的所述离子束中所希望的离子种的离子束选择性地通过；及透镜装置，设置于所述质量分析磁铁与所述质谱分析狭缝之间，且对朝向所述质谱分析狭缝的离子束施加磁场及电场中的至少一种来调整所述离子束的收敛及发散，所述质量分析装置在隔着所述质谱分析狭缝的上游侧至下游侧为止的规定的调整范围内，利用所述透镜装置来改变通过所述质谱分析狭缝的离子束的收敛位置，由此调整质量分辨率。
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