[发明专利]基于狭缝波导的石墨烯电光调制器有效
| 申请号： | 201811351655.8 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109387956B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 饶岚;忻向军;张琦;杨雷静;田清华;田凤;刘博;尹霄丽 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开发明了基于狭缝波导的石墨烯电光调制器。本发明属于硅基光子学领域。该调制器包括衬底层、硅光波导、电介质填充层及电极结构。硅光波导是由硅狭缝波导构成的Mach‑Zehnder干涉结构，掩埋在衬底中，包括分束器、第一狭缝波导、第二狭缝波导及合波器。在第一和第二狭缝波导上分别覆盖第一和第二石墨烯层；第三石墨烯层通过电介质填充层隔离后同时覆盖在第一和第二狭缝波导上。电极结构包括第一、第二和第三金属层，分别沉积在第一、第二和第三石墨烯层上。本发明双层石墨烯仅在狭缝波导的狭缝上方重叠，以增强石墨烯与光的相互作用，提高调制效率和速率。该器件对构建大带宽、高密度、高速片上系统提供了一种有效地解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 狭缝 波导 石墨 电光 调制器 | ||
【主权项】：
1.基于狭缝波导的石墨烯电光调制器，其特征在于：该石墨烯电光调制器包括衬底层(10)、硅光波导(1)、电介质填充层(8)及电极结构。
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