[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、以及液晶显示面板

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板。本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，将露出的金属氧化物半导体材料层转化为第二绝缘层，缩短氧化物半导体沟道暴露在空气中的时间，避免沟道受到外来污染和损伤，使金属氧化物半导体材料层电性信赖性更佳；金属氧化物半导体材料层用氧气或一氧化二氮将部分金属氧化物半导体材料层变为绝缘体，代替对金属氧化物半导体材料层的蚀刻，避免了现有方法中二次蚀刻造成侧蚀底切问题，并且节省了制作金属氧化物有源层的光罩工序，降低生产成本。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底(11)上形成图形化的栅极(12)；在该衬底(11)上依次形成第一绝缘层(13)、金属氧化物半导体材料层(14)和蚀刻阻挡层(15)，其中该第一绝缘层(13)覆盖在该栅极(12)上，该金属氧化物半导体材料层(14)覆盖在该第一绝缘层(13)上，该蚀刻阻挡层(15)设于该金属氧化物半导体材料层(14)上，并与该栅极(12)的位置对应；在该金属氧化物半导体材料层(14)和该蚀刻阻挡层(15)上形成相互间隔的源极(16a)和漏极(16b)，该金属氧化物半导体材料层(14)部分露出；对露出的该金属氧化物半导体材料层(14)进行电浆处理，将露出的该金属氧化物半导体材料层(14)转化为第二绝缘层(141)；依次形成钝化层(18)和像素电极(19a)，该钝化层(18)覆盖在该源极(16a)、该漏极(16b)及该第二绝缘层(141)上，该像素电极(19a)设于该钝化层(18)上，使该像素电极(19a)与该漏极(16b)电性连接。