[发明专利]薄膜晶体管、用于制造其的方法以及包括其的显示装置有效
| 申请号： | 201811352071.2 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110021669B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张宰满 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管、用于制造其的方法以及包括其的显示装置。薄膜晶体管包括在基板上的氧化物半导体层。该氧化物半导体层包括沟道部分、连接至沟道部分的第一端的第一沟道连接部分、以及连接至沟道部分的第二端的第二沟道连接部分。第二沟道连接部分的厚度不同于第一沟道连接部分的厚度。沟道部分的第一端具有与第一沟道连接部分的厚度相同的厚度，沟道部分的第二端具有与第二沟道连接部分的厚度相同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 用于 制造 方法 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：在基板上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道部分，连接到所述沟道部分的第一端的第一沟道连接部分，以及连接到所述沟道部分的与所述沟道部分的所述第一端相反的第二端的第二沟道连接部分；在所述氧化物半导体层的沟道部分上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上的栅电极；与所述第一沟道连接部分连接的源电极；和与所述源电极间隔开的漏电极，所述漏电极与所述第二沟道连接部分连接，其中，所述第二沟道连接部分的厚度不同于所述第一沟道连接部分的厚度，以及所述沟道部分的所述第二端具有与所述第二沟道连接部分的厚度相同的厚度。
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