[发明专利]发光二极管的外延片及其制作方法、发光二极管

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法、发光二极管，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、缺陷阻断层、n型层、应力释放层、发光层和p型层，缺陷阻断层为InxAlyGa1‑x‑yN层。由于GaN的晶格常数介于AlN晶格常数与InN晶格常数之间，InxAlyGa1‑x‑yN的晶格常数也介于AlN晶格常数与InN晶格常数之间，因此采用InxAlyGa1‑x‑yN制作缺陷阻断层，可以降低缺陷阻断层与n型层之间的晶格失配，缺陷密度也会随之减少，从而减少因缺陷在发光层产生的非辐射复合中心，提高了发光效率。

主权项

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN缓冲层、u型GaN层、缺陷阻断层、n型层、应力释放层、发光层和p型层，所述缺陷阻断层为In_xAl_yGa_1‑x‑yN层，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，x+y＜1。