[发明专利]薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器

摘要

本申请涉及一种薄膜晶体管阵列及其修复方法、移位寄存器，该薄膜晶体管阵列包括至少一个薄膜晶体管结构、辅助源极和辅助漏极。其中，该辅助源极和该辅助漏极沿第一方向平行相对设置；各所述薄膜晶体管结构设置于辅助源极和辅助漏极之间，且各所述薄膜晶体管结构分别与辅助源极和辅助漏极连接；相邻的薄膜晶体管结构之间设有耦接部，该耦接部用于使各所述薄膜晶体管结构沿所述第一方向串接。上述薄膜晶体管阵列中，由于各薄膜晶体管结构分别与辅助源极和辅助漏极连接，当切断其中一个薄膜晶体管结构时，不会影响薄膜晶体管阵列的正常工作，使该薄膜晶体管阵列易于修复。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，包括至少一个薄膜晶体管结构、辅助源极和辅助漏极；其中：所述辅助源极和所述辅助漏极沿第一方向平行相对设置；各所述薄膜晶体管结构设置于所述辅助源极和所述辅助漏极之间，且各所述薄膜晶体管结构分别与所述辅助源极和所述辅助漏极连接；相邻的所述薄膜晶体管结构之间设有耦接部，所述耦接部用于使各所述薄膜晶体管结构沿所述第一方向串接。