[发明专利]晶片的清洗方法有效
| 申请号： | 201811353008.0 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109727844B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;刘效岩;张凇铭 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;高青 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种晶片的清洗方法。该晶片的清洗方法包括：采用连续进行的多个喷淋步骤在所述晶片表面形成异丙醇膜；以及对所述晶片表面进行气体吹扫，其中，所述多个喷淋步骤中的至少两个喷淋步骤中异丙醇流量不相同。该清洗方法利用异丙醇表面张力小的物理特性改善所述晶片表面疏水状态，从而减少晶片表面水痕和颗粒的产生，并且采用多种不同流量的喷淋步骤在晶片表面异丙醇膜可以改善异丙醇膜的覆盖特性以及减少异丙醇的使用量，从而节省工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
