[发明专利]一种高纯氮化硅的回收方法在审
| 申请号： | 201811353296.X | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109607497A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王凯 | 申请（专利权）人： | 天津市瓦克新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 成都正象知识产权代理有限公司 51252 | 代理人： | 李姗姗 |
| 地址： | 天津市西青区张*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯氮化硅的回收方法，包括原料制备：将氮化硅涂层从废弃的石英坩埚上利用打磨设备打磨石英坩埚内表面，将其与石英坩埚分离得到氮化硅原料；粉碎过滤：粉碎利用研磨设备对采集得到的原材料进行粉碎，并利用40目以下的过滤网进行过滤得到氮化硅原料粉末；超声波振荡：将HF和HNO3的混合液倒入反应皿中，将反应皿放入超声波清洗机中振荡5‑10min，超声波的频率为30KHz,温度为20‑26摄氏度，本发明操作方便，采用酸性水溶液来去除，利用硅亲氟性取出氮化硅原料中的二氧化硅、硅，金属杂质与酸性水溶液的化学反应，金属杂质可以是金属单质杂质，也可以是难溶于水的金属化合物杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 石英坩埚 氮化硅原料 高纯氮化硅 酸性水溶液 金属杂质 反应皿 过滤 氮化硅原料粉末 金属化合物杂质 超声波清洗机 化学反应 超声波振荡 氮化硅涂层 打磨设备 二氧化硅 金属单质 研磨设备 原料制备 回收 超声波 过滤网 混合液 内表面 亲氟性 振荡 放入 难溶 去除 打磨 废弃 取出 采集 | ||
【主权项】：
1.一种高纯氮化硅的回收方法，其特征在于，采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅99.98％，二氧化硅、硅、金属等杂质0.02％；其操作分为以下步骤原料制备：将氮化硅涂层从废弃的石英坩埚上利用打磨设备打磨石英坩埚内表面，将其与石英坩埚分离得到氮化硅原料；粉碎过滤：粉碎利用研磨设备对采集得到的原材料进行粉碎，并利用40目以下的过滤网进行过滤得到氮化硅原料粉末；超声波振荡：将HF和HNO3的混合液倒入反应皿中，HF和HNO3体积比为2:1，其中HF溶液的浓度为2mol/L，HNO3溶液的浓度为1mol/L；将反应皿放入超声波清洗机中振荡5‑10min，超声波的频率为30KHz,温度为20‑26摄氏度，将制得的氮化硅原料粉末与混合液的重量组份为1：4混合，在上述条件下超声振荡50‑70min，纯水将氮化硅冲洗至pH＝6‑7；干燥后得到高纯氮化硅。
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