[发明专利]反应腔室和半导体设备有效
| 申请号： | 201811354815.4 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109735822B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王磊;张超;耿波;罗建恒;赵康宁;邱国庆;田西强 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;C23C14/35;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;高青 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种反应腔室和半导体设备，反应腔室包括：腔室主体；设置在腔室主体内的基座组件，所述基座组件包括金属加热盘以及用于接地的接地盘，金属加热盘具有用于承载基片的承载面；处理组件，包括围绕承载面的外沉积环，处理组件用于与基座组件配合形成工艺区域，其中，反应腔室还包括接地环，连接至外沉积环以及所述接地盘之间，用于在处理组件与基座组件配合形成工艺区域时提供外沉积环至接地盘的接地路径，可有效解决使用金属材质的加热盘时外沉积环放电而引发打火现象，有利于提高镀膜效果。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室，其特征在于，包括：腔室主体；设置在腔室主体内的基座组件，所述基座组件包括金属加热盘以及用于接地的接地盘，所述金属加热盘具有用于承载基片的承载面；处理组件，包括围绕所述承载面的外沉积环，所述处理组件用于与所述基座组件配合形成工艺区域，其中，所述反应腔室还包括接地环，连接至所述外沉积环以及所述接地盘之间，以在所述处理组件与所述基座组件配合形成所述工艺区域时提供所述外沉积环至所述接地盘的接地路径。
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