[发明专利]封装结构及其制造方法、半导体器件、电子设备有效
| 申请号： | 201811355048.9 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN111193487B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨清瑞;庞慰;孙晨;张孟伦 | 申请（专利权）人： | 天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/10;H03H9/54 |
| 代理公司： | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人： | 汤雄军 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件用封装结构及其制造方法。所述半导体器件包括对置的第一晶圆与第二晶圆，所述封装结构包括：适于设置在第一晶圆上的第一键合层，第一键合层具有第一键合区；适于设置在第二晶圆上的第二键合层，第二键合层具有第二键合区，所述第一键合区与所述第二键合区适于彼此键合以形成密封；以及防脱辅助结构，所述防脱辅助结构设置到第一晶圆和/或第二晶圆，所述防脱辅助结构与键合区所在的晶圆表面的边缘相接，且所述防脱辅助结构至少一部分的表面粗糙度的取值范围为10‑80nm，对应的键合层延伸覆盖所述防脱辅助结构。本发明还涉及一种具有上述半导体器件的电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 制造 方法 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】：
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