[发明专利]二维通孔柱结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811355242.7 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786358A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 顾钧尧;陈文豪;余明道 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 用于各个通孔柱结构的示例性实施例包括半导体堆叠件的第一互连层中的一个或多个第一导体，一个或多个第一导体与半导体堆叠件的第二互连层中的一个或多个第二导体互连。第一互连层和第二互连层内的一个或多个第一导体和/或一个或多个第二导体可以分别横越多个方向。在某些情况下，这允许利用多个互连件来互连一个或多个第一导体和一个或多个第二导体。这些多个互连件可以减小一个或多个第一导体和一个或多个第二导体之间的电阻，从而改进在一个或多个第一导体和一个或多个第二导体之间流动的信号的性能。本发明的实施例还提供了一种形成通孔柱结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 互连层 通孔柱 半导体堆叠件 互连件 互连 电阻 二维 横越 减小 流动 制造 改进 | ||
【主权项】：
1.一种通孔柱结构，包括：第一导体，位于半导体堆叠件的第一互连层内，所述第一导体在所述半导体堆叠件的所述第一互连层内横越第一方向和第二方向；第二导体，位于所述半导体堆叠件的第二互连层内，所述第二导体在所述半导体堆叠件的所述第二互连层内横越所述第一方向和所述第二方向；以及多个通孔结构，连接所述第一导体和所述第二导体。
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