[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器有效
| 申请号： | 201811356081.3 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109474255B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 李平;王伟;胡念楚;贾斌 | 申请（专利权）人： | 开元通信技术（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市海*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本公开提出了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器；所述薄膜体声波谐振器包括：衬底；形成于所述衬底上的压电堆叠结构，该压电堆叠结构包括底电极、压电膜和顶电极；以及形成于所述压电堆叠结构上的第一焊盘和第二焊盘；其中，所述薄膜体声波谐振器还包括介质层，所述介质层形成于所述压电膜的刻蚀端面，和/或形成于所述压电膜和底电极的刻蚀端面，和/或形成于所述压电膜和顶电极的刻蚀端面，和/或形成于所述压电膜、顶电极和底电极的刻蚀端面。本公开薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器，提升器件性能，简化了制作流程，降低了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 及其 制作方法 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波谐振器的制作方法，包括：在衬底上连续依次沉积底电极、压电膜；图形化压电膜，露出部分所述底电极；图形化底电极；沉积介质层，并刻蚀介质层；沉积顶电极，并图形化顶电极；以及制作焊盘。
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