[发明专利]制备13N超高纯锗单晶的方法及设备在审
| 申请号： | 201811357744.3 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109321976A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 普世坤;李学洋;董汝昆;惠峰;柳廷龙;张朋;钟文;赵燕;包文瑧;滕文 | 申请（专利权）人： | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B13/00 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 施建辉 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 一种制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，涉及高纯半导体材料制备技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。本发明的制备13N超高纯锗单晶的设备，其特征在于该设备包括石英舟、石英管、区熔线圈和区熔小车，石英舟放置在石英管内，区熔线圈设至在支架上，石英管固定在支架上且位于区熔线圈之间，进气管与排气管分别设置在石英管两端，区熔小车设置在石英管下方。本发明的制备13N超高纯锗单晶的方法及设备，结构简单，设计科学，使用方便，制备出的锗锭，纯度高，能够得到13N纯度的锗单晶，满足高精探测器使用。 | ||
| 搜索关键词： | 锗单晶 制备 石英管 超高纯 石英舟 探测器 支架 小车 材料制备技术 方法和设备 高纯半导体 超高纯度 进气管 排气管 锗锭 | ||
【主权项】：
1.一种制备13N超高纯锗单晶的设备，其特征在于该设备包括石英舟（1）、石英管（2）、区熔线圈（3）和区熔小车（4），石英舟（1）放置在石英管（2）内，区熔线圈（3）设至在支架（5）上，石英管（2）固定在支架（5）上且位于区熔线圈（3）之间，进气管与排气管分别设置在石英管（2）两端，区熔小车（4）设置在石英管（2）下方。
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