[发明专利]化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法

摘要

本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置的杂质发生从阳离子位置到阴离子位置或间隙位置的转变，进而通过正电子湮没谱技术的多普勒展宽谱测量化合物半导体原生样品和退火样品中的阳离子空位浓度的差异，最终确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度，对于研究化合物半导体材料中的替代阳离子位置的杂质缺陷浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。

主权项

1.一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法，包括以下步骤：1)制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测样品的原生样品；2)将部分原生样品置于退火炉中进行退火操作，制得检测样品的退火样品；3)测量原生样品的正电子多普勒展宽谱，得到S参数随正电子注入能量变化的曲线，计算得到原生样品中的阳离子空位浓度V1；4)测量退火样品的正电子多普勒展宽谱，得到S参数随正电子注入能量变化的曲线，计算得到退火样品中的阳离子空位浓度V2；5)比较原生样品和退火样品中的阳离子空位浓度V1和V2：当V2不大于V1时，则说明检测样品中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度较低；当V2大于V1时，则V＝V2‑V1就是检测样品中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度；其中，在步骤3)和步骤4)中定义S参数为慢正电子束流装置的探测器采集到γ光子的能量范围在510.2‑511.8keV内的计数与499.5‑522.5keV内总的计数之间的比率。