[发明专利]一种集成化电路用高磁导率低损耗铁氧体材料在审
| 申请号： | 201811358524.2 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109336580A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 项辉 | 申请（专利权）人： | 岳西县鸿腾电子有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 金宇平 |
| 地址： | 246600 安徽省安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成化电路用高磁导率低损耗铁氧体材料，其原料按重量百分比包括：氧化铁40‑80％，氧化锡10‑20％，氧化镁2‑10％，氧化钇15‑25％，三氧化二铋0.1‑0.5％，氧化锆0.05‑0.12％，二氧化钛0.02‑0.6％，三氧化二钴0.22‑0.3％，氧化钙0.05‑0.2％，余量为辅料。辅料包括：硬脂酸锌、石蜡、邻苯二甲酸二丁酯、油酸。硬脂酸锌、石蜡、邻苯二甲酸二丁酯、油酸的重量比为1‑1.5：1‑3：1‑3：2‑8。本发明提出的集成化电路用高磁导率低损耗铁氧体材料，起始磁导率μi和饱和磁通密度Bs高，功率损耗低，密度均一，性能稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 低损耗铁氧体 高磁导率 集成化 邻苯二甲酸二丁酯 油酸 电路 石蜡 硬脂酸锌 起始磁导率 三氧化二钴 三氧化二铋 重量百分比 饱和磁通 二氧化钛 功率损耗 密度均一 氧化钙 氧化镁 氧化铁 氧化锡 氧化钇 氧化锆 重量比 | ||
【主权项】：
1.一种集成化电路用高磁导率低损耗铁氧体材料，其特征在于，其原料按重量百分比包括：![]()
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