[发明专利]电阻式随机存取存储器装置及其写入与反向写入验证方法有效
| 申请号： | 201811359241.X | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109872750B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄科颕 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的电阻式随机存取存储器装置、写入验证方法及反向写入验证方法，其可以提升电阻式随机存取存储器的效能，并且提升每一个电阻式随机存取记忆胞的均匀效能。比较由电阻式随机存取记忆胞所检测的第一电阻值与多个参考电阻值以获得比较值。通过施加第一设定脉冲来使电阻式随机存取记忆胞执行设定操作以使第一电阻值改变为第二电阻值。比较第二电阻值与比较值以判断是否持续电阻式随机存取记忆胞的设定操作。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 装置 及其 写入 反向 验证 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器装置的写入验证方法，包括：比较由电阻式随机存取记忆胞所检测的第一电阻值与多个参考电阻值以获得比较值；通过施加第一设定脉冲来使所述电阻式随机存取记忆胞执行设定操作以使所述第一电阻值改变为第二电阻值；以及比较所述第二电阻值与所述比较值以判断是否持续所述电阻式随机存取记忆胞的所述设定操作。
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