[发明专利]一种氧化镓半导体结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种氧化镓半导体结构的制备方法，包括提供具有注入面的氧化镓单晶晶片；从注入面向氧化镓单晶晶片进行离子注入，使得注入离子到达预设深度并在预设深度处形成注入缺陷层；将注入面与高热导率衬底键合，得到第一复合结构；对第一复合结构进行退火处理，使得第一复合结构中的氧化镓单晶晶片沿着注入缺陷层剥离，由此得到第二复合结构和第三复合结构；对第二复合结构进行表面处理以除去第一损伤层，得到包括第一氧化镓层和高热导率衬底的氧化镓半导体结构。本发明还提供一种由此得到的氧化镓半导体结构。根据本发明的制备方法形成的氧化镓半导体结构，氧化镓单晶薄膜与高热导率衬底集成，有效提高了氧化镓单晶薄膜的导热性。

主权项

1.一种氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括步骤：S1，提供具有注入面的氧化镓单晶晶片；S2，从所述注入面向氧化镓单晶晶片进行离子注入，使得注入离子到达预设深度并在预设深度处形成注入缺陷层，该注入缺陷层的两侧形成第一氧化镓层和第二氧化镓层；S3，将所述注入面与一高热导率衬底键合，得到包括氧化镓单晶晶片和高热导率衬底的第一复合结构；S4，对第一复合结构进行退火处理，使得第一复合结构中的氧化镓单晶晶片沿着注入缺陷层剥离，得到第二复合结构和第三复合结构，其中，注入缺陷层形成第一损伤层和第二损伤层，第二复合结构包括第一损伤层、第一氧化镓层和高热导率衬底，第三复合结构包括第二损伤层和第二氧化镓层；S5，对第二复合结构进行表面处理以除去第一损伤层，得到包括第一氧化镓层和高热导率衬底的氧化镓半导体结构。