[发明专利]一种纳米浸渍瞬态共晶相结合化学气相渗透实现SiC陶瓷的连接方法及制备的陶瓷连接件在审
| 申请号： | 201811360720.3 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109437957A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 郭伟明;吴利翔;朱林林;牛文彬;卫紫君;林锐霖;林华泰 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C04B37/00 | 分类号： | C04B37/00 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于陶瓷连接技术领域，公开了一种纳米浸渍瞬态共晶相结合化学气相渗透实现SiC陶瓷的连接方法及制备的陶瓷连接件，该方法先将SiC粉和Al2O3‑Re2O3混合后加入溶剂和球磨介质混合，干燥后得到混合粉体；将混合粉体进行造粒，将造粒后的粉体铺展在两块抛光后的SiC中间形成三明治结构；将三明治结构的样品放入热处理炉中，在真空或保护气氛下，升温至1000℃～1400℃进行热处理，再加入掺杂填料的有机碳硅烷在1300～1600℃进行化学气相渗透，得到SiC陶瓷的连接件。本发明通过纳米浸渍瞬态共晶相结合化学气相渗透实现SiC陶瓷的低温无压连接，连接处的漏率达到0～1×10‑10Pa·L/s。 | ||
| 搜索关键词： | 化学气相渗透 浸渍 共晶相 陶瓷 瞬态 三明治结构 陶瓷连接件 混合粉体 造粒 制备 热处理 球磨介质 热处理炉 陶瓷连接 连接件 有机碳 抛光 溶剂 放入 粉体 硅烷 漏率 无压 铺展 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种纳米浸渍瞬态共晶相结合化学气相渗透实现SiC陶瓷的连接方法，其特征在于，包括如下具体步骤：S1.将SiC粉和Al2O3‑Re2O3混合后加入溶剂和球磨介质混合，干燥后得到混合粉体；所述Re为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu；S2.将混合粉体进行造粒，将造粒后的粉体铺展在两块抛光后的SiC中间形成三明治结构；S3.将三明治结构的样品放入热处理炉中，在真空或保护气氛下，升温至1000℃～1400℃进行热处理，再加入掺杂填料的有机碳硅烷在1300～1600℃进行化学气相渗透，得到SiC陶瓷的连接件。
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