[发明专利]基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构有效
| 申请号： | 201811362745.7 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109585270B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 梁冬冬;魏同波;闫建昌;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18;H01L33/00;H01L29/06;H01L31/0352;H01L33/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于非晶衬底生长氮化物的方法及结构，该方法包括以下步骤：在非晶组合衬底上沉积薄层二氧化硅，通过纳米压印的方式在非晶组合衬底上制备出二氧化硅阵列孔，对非晶衬底上的二氧化硅进行过腐蚀，将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉，露出衬底部分；再以具有阵列孔的二氧化硅层作为掩模，在非晶组合衬底上选区生长氮化物材料。本发明提高了非晶组合衬底上外延氮化物材料的晶体质量，促进了基于氮化物材料的光电器件及电子电力器件的发展，有利于推动产业进步。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 生长 氮化物 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基于非晶衬底生长氮化物的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在一非晶组合衬底上形成二氧化硅薄层，所述非晶组合衬底包括非晶衬底和二维材料薄层，其中所述二氧化硅薄层形成于二维材料薄层上；步骤2：对所述二氧化硅薄层用纳米压印的方式制备阵列孔；步骤3：通过过腐蚀将阵列孔底部的二氧化硅腐蚀掉以露出二维材料薄层；步骤4：以具有阵列孔的二氧化硅薄层为掩膜，在所述非晶组合衬底上进行选区生长氮化物材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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