[发明专利]一种合金化铜Cu(Ni)无扩散阻挡层互连结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811362802.1 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109461714A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李旭;汪蕾;董松涛;王琦;李源梁 | 申请（专利权）人： | 江苏科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 212003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种合金化铜Cu(Ni)无扩散阻挡层互连结构及其制备方法，所述Cu(Ni)无扩散阻挡层是采用磁控溅射镀膜法在Si基体上制备合金化铜Cu(Ni)薄膜。所述制备方法包括如下步骤：(a)用导电胶将纯Ni片贴在铜靶上；(b)基片清洗后用氮气吹干；(c)磁控溅射镀膜；(d)退火处理，冷却后取出，得到Cu(Ni)薄膜。本发明采用的镀膜方法是真空下磁控溅射沉积薄膜法，此方法效率高，制得到的薄膜具有纯度高、均匀致密、附着性好等优点；本发明的溅射过程可控性强，可以通过调节溅射过程中的氩气流量和功率来控制溅射的速率；本发明通过控制Ni靶的数量来调节Cu(Ni)阻挡层的成分，系统地证明了Cu(Ni)阻挡层高热稳性，避免了实验误差。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 扩散阻挡层 合金化 溅射 薄膜 互连结构 磁控溅射镀膜法 磁控溅射沉积 磁控溅射镀膜 氮气吹干 基片清洗 均匀致密 实验误差 退火处理 氩气流量 薄膜法 导电胶 附着性 可控性 阻挡层 镀膜 铜靶 稳性 冷却 取出 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种合金化铜Cu(Ni)无扩散阻挡层互连结构，其特征在于：所述合金化铜Cu(Ni)的成分占比是Cu98.34Ni1.66/Si、Cu96.41Ni3.59/Si或Cu90.84Ni9.16/Si，将Cu98.34Ni1.66/Si记作Cu(Ni)1，Cu96.41Ni3.59/Si记作Cu(Ni)2，Cu90.84Ni9.16/Si记作Cu(Ni)3。
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