[发明专利]用于极UV光刻的掩模及其制造方法

摘要

用于经衰减的相移掩模类型的极UV光刻的掩模包括基板(1)、反射结构(2)以及衰减和相移部分(3)。附加覆盖层(4)至少覆盖各部分(3)的侧壁(SW)。这允许减少各部分的侧壁上的极UV入射光束的反射，使得每个衰减和相移部分的相对侧上的反射峰值基本相同。在清洁处理期间对掩模的附加保护功能也由该覆盖层提供。

主权项

1.一种用于经衰减的相移掩模类型并且具有使用面(UF)的极UV光刻的掩模，包括：‑基板(1)；‑由所述使用面中的所述基板支撑的反射结构(2)，并且所述反射结构(2)对从与所述基板相对的一侧入射到所述反射结构上的极UV辐射是反射有效的；以及‑衰减和相移部分(3)，所述衰减和相移部分(3)分布于所述反射结构上方、与所述基板相对的一侧上的所述使用面内，并且当与由所述掩模反射出所述各部分的其他极UV辐射部分相比时，所述衰减和相移部分(3)适用于衰减和相移由所述掩模反射穿过所述各部分的极UV辐射部分，使得部分地由与所述基板(1)相对的一侧上的所述各部分(3)形成的所述使用面(UF)中的所述掩模的上表面在垂直于所述使用面延伸的所述各部分的侧壁(SW)处表现高度变化，所述掩模的特征在于它进一步包括：‑覆盖层(4)，所述覆盖层(4)至少覆盖所述各部分(3)的侧壁(SW)。