[发明专利]一种提高Sb有效
| 申请号： | 201811363984.4 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109616550B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 袁宁一;王鑫;丁建宁;郭华飞 | 申请（专利权）人： | 常州大学;江苏大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/263;H01L21/02 |
| 代理公司： | 32258 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 谢新萍 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜太阳能电池制备技术领域，具体涉及一种提高Sb | ||
| 搜索关键词： | 氧等离子处理 柱状 薄膜 生长 薄膜电池 薄膜晶粒 水浴法 硒化锑 薄膜太阳能电池 制备技术领域 促进作用 快速沉积 呈柱状 基底 沉积 制备 诱导 | ||
【主权项】：
1.一种提高Sb
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
