[发明专利]半导体功率器件在审
| 申请号： | 201811364479.1 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN111199958A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 袁愿林;刘伟;刘磊;毛振东 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：封装在同一个封装体内的第一MOSFET功率器件芯片和第二MOSFET功率器件芯片，其中：所述第一MOSFET功率器件芯片的漏极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的源极金属层电性连接；所述第一MOSFET功率器件芯片的源极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的栅极金属层均接所述封装体的源极引脚；所述第一MOSFET功率器件芯片的栅极金属层接所述封装体的栅极引脚；所述第二MOSFET功率器件芯片的漏极金属层接所述封装体的漏极引脚。本发明能够降低半导体功率器件的特征导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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