[发明专利]用于在低温下沉积SiN的Si前体有效
| 申请号： | 201811364487.6 | 申请日： | 2014-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109252145B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | A·J·尼斯卡宁;S·陈;V·波雷 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信;王占洋 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的名称是用于在低温下沉积SiN的Si前体。提供用于通过原子层沉积(ALD)来沉积氮化硅膜的方法和前体。在一些实施方式中，硅前体包含碘配体。当沉积到如FinFET或其它类型的多栅极FET的三维结构上时，氮化硅膜在竖直与水平部分上均具有相对均匀的蚀刻速率。在一些实施方式中，本公开的各种氮化硅膜的蚀刻速率小于使用稀HF(0.5％)的热氧化物移除速率的一半。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低温 沉积 sin si | ||
【主权项】：
1.一种在反应空间中的基板上的三维特征上沉积氮化硅薄膜的方法，包括：(a)将包括碘的气相硅反应物引入所述反应空间中，使得硅前体吸附到所述基板的表面上；(b)移除过量硅反应物和反应副产物；(c)使所吸附的硅前体与由来自氮前体的等离子体所产生的反应性物质接触；(d)移除过量反应性物质和反应副产物；其中重复步骤(a)到(d)，直到在所述三维特征上形成期望厚度的氮化硅膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
