[发明专利]适用于F类高效功率放大器的谐波注入理论有效

专利信息
申请号: 201811365632.2 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN109600118B 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 马建国;刘畅;傅海鹏;周绍华;张新 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/191;H03F3/21
代理公司: 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 代理人: 徐金生
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开一种适用于F类高效功率放大器的谐波注入理论,包括步骤计算与描述晶体管非线性特性的幂级及输入栅极电压有关的参数,根据该参数计算出二次谐波注入时的漏极效率,根据二次谐波注入时的功率与未进行谐波注入时的功率的比值,计算出二次谐波注入时的输出功率,建立二次谐波注入时计算出的漏极效率输出功率与获得的对输入端栅极电压波形,输出端漏极电压波形和电流波形的关系;根据上述的关系对晶体管输入端栅极电压波形控制,以实现控制晶体管漏极效率以及输出功率。本发明能实现快速计算出最佳注入波形。
搜索关键词: 适用于 高效 功率放大器 谐波 注入 理论
【主权项】:
1.适用于F类高效功率放大器的谐波注入理论,其特征在于,包括步骤:计算与描述晶体管非线性特性的幂级数a0‑a5以及输入栅极电压有关的两个参数m1,m2,根据该参数m1,m2计算出二次谐波注入时的漏极效率ηF,根据二次谐波注入时的功率P’out与未进行谐波注入时的功率Pout的比值,即注入功率比Pnor关系式,计算出二次谐波注入时的输出功率P’out,表示栅极输入电压二次谐波相对于基波的初相位,Vdc表示晶体管的供电电压和Vk表示晶体管的膝点电压,Vgs2,Vgs1分别表示栅极输入电压的二次谐波注入幅值与栅极输入电压的基波幅值;建立二次谐波注入时计算出的漏极效率ηF,输出功率P’out,与获得的对输入端栅极电压波形,输出端漏极电压波形和电流波形的关系;根据上述的关系对晶体管输入端栅极电压波形控制,以实现控制晶体管漏极效率以及输出功率。
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