[发明专利]用非电式镀覆法在封装模制体中形成导电连接迹线在审
| 申请号： | 201811365720.2 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109801850A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | C·H·丹尼许;N·莫尔班;Y·C·傅;K·C·苏;S·H·文森特杨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/49;H01L23/31 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提供了第一封装的半导体器件。第一封装的半导体器件包括具有第一端子的第一半导体裸片、电连接到第一端子的第一导电引线以及包封第一半导体裸片的电绝缘的第一模制化合物，所述第一模制化合物使第一导电引线的端部部分在第一模制化合物的外表面处暴露。导电迹线形成在第一模制化合物的外表面中。形成导电迹线包括激活第一模制化合物的外表面的一部分以用于非电式镀覆工艺，以及执行非电式镀覆工艺以便仅在第一模制化合物的外表面的激活部分内形成导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 第一模 镀覆 半导体裸片 半导体器件 导电迹线 导电引线 封装 激活 导电材料 导电连接 外表面处 电绝缘 电连接 封装模 包封 迹线 制体 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体封装体的方法，所述方法包括：提供第一封装的半导体器件，所述第一封装的半导体器件包括具有第一端子的第一半导体裸片、电连接到所述第一端子的第一导电引线以及包封第一半导体裸片的电绝缘的第一模制化合物，所述第一模制化合物使第一导电引线的端部部分在第一模制化合物的外表面处暴露；和在第一模制化合物的外表面中形成导电迹线，其中，形成导电迹线包括：激活第一模制化合物的外表面的一部分，以用于非电式镀覆工艺；和执行非电式镀覆工艺，以便仅在第一模制化合物的所述外表面的激活部分内形成导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
