[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811365851.0 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109817526A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 涂官瑶;彭羽筠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体装置结构的结构及形成方法。上述方法包括：在一半导体基底的上方，形成一栅极堆叠。上述方法也包括：使用一原子层沉积工艺，在上述栅极堆叠的一侧壁上，形成一密封层。上述原子层沉积工艺包括：交互并依序将一第一含硅前体气体与一第二含硅前体气体引至上述栅极堆叠的上述侧壁上，以形成上述密封层。上述第二含硅前体气体具有的碳的原子浓度与上述第一含硅前体气体的碳的原子浓度不同。上述方法还包括：局部移除上述密封层，以在上述栅极堆叠的上述侧壁上形成一密封元件。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅前体 栅极堆叠 密封层 半导体装置结构 原子层沉积工艺 侧壁 半导体基底 密封元件 移除 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：在一半导体基底的上方，形成一栅极堆叠；使用一原子层沉积工艺，在该栅极堆叠的一侧壁上，形成一密封层，其中该原子层沉积工艺包括：交互并依序将一第一含硅前体气体与一第二含硅前体气体引至该栅极堆叠的该侧壁上，以形成该密封层，其中该第二含硅前体气体具有的碳的原子浓度与该第一含硅前体气体的碳的原子浓度不同；以及局部移除该密封层，以在该栅极堆叠的该侧壁上形成一密封元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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