[发明专利]用于超高密度第一级互连的双焊接方法在审
申请号: | 201811366321.8 | 申请日: | 2018-11-16 |
公开(公告)号: | CN109935567A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | C.苏布拉马尼 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/488;H01L25/18;H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;申屠伟进 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种装置,包括具有至少一个焊料接合焊盘的集成电路(IC)封装;具有至少一个焊料接合焊盘的管芯,其中该管芯通过管芯的至少一个焊料接合焊盘与IC封装的至少一个焊料接合焊盘之间的至少一个焊点接合到IC封装;以及IC封装与管芯之间的底部填充剂材料,其中该至少一个焊点嵌入在底部填充剂材料中,并且其中该至少一个焊点包括第一冶金和第二冶金。 | ||
搜索关键词: | 焊料 接合焊盘 管芯 焊点 底部填充剂材料 冶金 接合 第一级 互连 封装 集成电路 焊接 嵌入 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路(IC)封装,其包括:至少一个焊料接合焊盘;具有至少一个焊料接合焊盘的管芯,其中所述管芯通过所述管芯的至少一个接合焊盘与所述IC封装的至少一个接合焊盘之间的至少一个焊点接合到所述IC封装;以及在所述IC封装与所述管芯之间的底部填充剂材料,其中所述至少一个焊点嵌入在所述底部填充剂材料中,并且其中所述至少一个焊点包括第一冶金和第二冶金。
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