[发明专利]一种小角度氧化层台阶的加工工艺在审
| 申请号： | 201811367571.3 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109473341A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 唐红梅;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;陶得天 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种小角度氧化层台阶的加工工艺。涉及半导体制造技术中的湿法腐蚀工艺。提出了一种逻辑清晰、步骤有序、加工效率高且加工成本低，可显著缩小氧化层台阶角度的小角度氧化层台阶的加工工艺。本发明由于在光刻前，将先对氧化层表面用SC1药液进行清洗，从而可有效影响氧化层表面性质，使得后续光刻后光刻胶层和氧化层的黏附性降低，进而最终影响腐蚀的间隙，改变腐蚀侧腐角度，形成小角度的氧化层台阶。从整体上具有逻辑清晰、步骤有序、加工效率高且加工成本低，可显著缩小氧化层台阶角度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 氧化层表面 加工效率 光刻 半导体制造技术 腐蚀 光刻胶层 湿法腐蚀 有效影响 黏附性 清晰 加工 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种小角度氧化层台阶的加工工艺，其特征在于，按以下步骤进行加工：1）、场氧化；2）、清洗：通过SC1药液对氧化层背向硅的表面进行清洗，清洗时间5分钟，所述SC1药液包括NH4OH、H2O2和H2O，所述NH4OH、H2O2和H2O的体积比为1:1:10；3）、光刻；4）、腐蚀；完毕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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