[发明专利]一种正负电源供电半桥电路的驱动电路及其驱动方法

摘要

本发明涉及一种正负电源供电半桥电路的驱动电路及其驱动方法，包括死区时间设置电路、第一电压自举电路、第二电压自举电路、第一瞬时共态抑制电路、第二瞬时共态抑制电路及半桥驱动电路。所述死区时间设置电路可根据实际使用要求设置死区时间为：100ns～10μs，以避免互补MOS管因共态导通而烧毁；电压自举电路由自举电容和稳压二极管组成，实现对互补MOS管的有效控制；瞬时共态抑制电路通过晶体管开关与对应MOS管的反相控制，抑制互补MOS管“导通”与“关断”状态切换过程中的瞬态共态导通，消除互补MOS管因瞬态共态导通而损坏。

主权项

1.一种正负电源供电半桥电路的驱动电路，其特征在于：包括死区时间设置电路（1）、第一电压自举电路（2）、第二电压自举电路（3）、第一瞬时共态抑制电路（4）、第二瞬时共态抑制电路（5）及半桥驱动电路（6）；所述死区时间设置电路，用于设置与调节半桥驱动电路中两个MOS管同时截止的时间，避免半桥驱动电路中两个MOS管同时导通；所述第一电压自举电路，用于对半桥驱动电路中PMOS管G极电位的抬高，实现对该管导通与截止的有效控制；所述第二电压自举电路，用于对半桥驱动电路中NMOS管G极电位的抬高，实现对该管导通与截止的有效控制；所述第一瞬时共态抑制电路，用于加速PMOS管由导通状态向关断状态的切换，减小切换时间以抑制PMOS管从导通到关断过程中与NMOS管间的瞬态共态导通；所述第二瞬时共态抑制电路，用于加速NMOS管由导通状态向关断状态的切换，减小切换时间以抑制NMOS管从导通到关断过程中与PMOS管间的瞬态共态导通；所述半桥驱动电路，用于对负载电机正、反向交替加电，实现对电机的运转速、运转方向的控制。