[发明专利]一种选择区域生长凹槽垂直的GaN常关型MISFET器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811368159.3 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109560120B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;刘振兴;李柳暗 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种选择区域生长凹槽垂直的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，包括导电GaN衬底和外延层，外延层包括n型轻掺杂GaN层与本征GaN层和其上的选择区域生长的二次外延层，二次外延层自下至上为电子阻挡层、低压GaN层、非掺杂外延GaN层和异质结构势垒层，二次外延生长后形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层的表面覆盖绝缘层，栅极覆盖于绝缘层上的凹槽沟道处，刻蚀绝缘层两端形成源极区域，刻蚀源极区域到p型阻挡层形成基区区域，基区区域处蒸镀欧姆金属形成与源极短接作用，源极区域蒸镀欧姆金属形成与异质结势垒层接触的源极，漏极欧姆接触金属置于导电GaN衬底背面。本发明提高了器件的开关控制能力，降低了器件的导通电阻，提升了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择 区域 生长 凹槽 垂直 gan 常关型 misfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种选择区域生长凹槽垂直的GaN常关型MISFET器件，该器件包括栅极、源极、漏极、绝缘层（11）、导电GaN衬底（1）和其上的外延层，所述外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层（2）与本征GaN层（3）和其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外延层自下至上为电子阻挡层（4）、低压GaN层（5）、非掺杂GaN层（6）和异质结构势垒层（7），二次外延生长后形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层（7）的表面覆盖绝缘层（11），栅极覆盖于绝缘层（11）上的凹槽沟道处，刻蚀绝缘层（11）两端形成源极区域，刻蚀源极区域到电子阻挡层（4）形成基区区域，基区区域处蒸镀欧姆金属形成与源极短接作用，源极区域蒸镀欧姆金属形成与异质结势垒层接触的源极，漏极欧姆接触金属（10）置于导电GaN衬底（1）背面。
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