[发明专利]一种提高成膜稳定性的系统在审
申请号: | 201811368300.X | 申请日: | 2018-11-16 |
公开(公告)号: | CN109321898A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 王德龙;谢婉扬;蔡毅 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/448;C23C16/52 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供提高成膜稳定性的系统,属于半导体制造技术领域,包括:臭氧发生器,所述臭氧发生器用于产生并输出臭氧;反应腔体,基于所述臭氧进行所述STI HARP成膜工艺;第一管路,用于将所述臭氧发生器输出的臭氧输送至所述反应腔体;臭氧处理器,用于接收多余的所述臭氧;第二管路,用于将所述臭氧发生器输出的臭氧输送至所述臭氧处理器;第三管路,所述第三管路用于将所述第一管路中输送的所述臭氧按照分流策略部分分流至所述臭氧处理器。本发明的有益效果:能有效的保证臭氧浓度在整个成膜过程中的稳定性,提高了成膜的稳定性。降低了臭氧浓度波动带来的成膜异常风险。 | ||
搜索关键词: | 臭氧 臭氧发生器 臭氧处理器 成膜稳定性 臭氧输送 反应腔体 成膜 输出 半导体制造技术 成膜工艺 成膜过程 分流策略 浓度波动 分流 保证 | ||
【主权项】:
1.一种提高成膜稳定性的系统,其特征在于,适用于STI HARP成膜工艺;所述系统包括:臭氧发生器,所述臭氧发生器用于产生并输出臭氧;反应腔体,所述反应腔体用于接收所述臭氧,并基于所述臭氧进行所述STI HARP成膜工艺;第一管路,所述第一管路用于将所述臭氧发生器输出的臭氧输送至所述反应腔体;臭氧处理器,所述臭氧处理器用于接收所述第一管路中多余的所述臭氧;第二管路,所述第二管路用于将所述臭氧发生器输出的臭氧输送至所述臭氧处理器;所述系统还包括:第三管路,所述第三管路用于将所述第一管路中输送的所述臭氧按照分流策略部分分流至所述臭氧处理器。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的