[发明专利]电源电路在审
| 申请号： | 201811368989.6 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109962616A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 藤田耕一郎;田中研一;佐藤知稔 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电源装置，其即使在将GaN系半导体材料作为开关使用的情况下，也能够防止发生开关错误地导通的误导通。电源电路包括由GaN系半导体材料构成的FET即第一开关(UH1)和由GaN系半导体材料构成的FET即第二开关(UL1)，第一开关(UH1)的源极与输入电位侧连接，第一开关(UH1)的漏极与第二开关(UL1)的源极连接的同时与输出电位侧连接，该电源电路将防止一个开关导通时另一开关随之打开的误导通防止电路与第一开关(UH1)的栅极和/或第二开关(UL1)的栅极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 第一开关 半导体材料 电源电路 侧连接 电源装置 防止电路 开关导通 输出电位 输入电位 源极连接 栅极连接 导通 漏极 源极 | ||
【主权项】：
1.一种电源电路，其包括由GaN系半导体材料构成的FET即第一开关、和由GaN系半导体材料构成的FET即第二开关，所述第一开关的漏极与输入电位侧连接，所述第一开关的源极与所述第二开关的漏极连接的同时与输出电位侧连接，该电源电路的特征在于，所述第一开关的栅极和/或所述第二开关的栅极中，连接了防止一个开关导通时另一开关随之导通的误导通防止电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811368989.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
