[发明专利]一种散热基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201811369118.6 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109585307A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张振文 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373;H01L23/473 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种散热基板的制作方法，包括以下步骤：清洗铜片表面，设计每层铜片图形同时设定定位孔；刻蚀铜片，制得带有目标镂空图形的铜片；清洗所述带有目标镂空图形的铜片，对清洗后的铜片的两面进行预氧化；将预氧化后的铜片堆叠后平铺于承烧板上并对铜片定位后，烧结；将烧结后的基板进行表面及内部镀金处理，制得散热基板。采用直接覆铜工艺将多层铜片堆叠在一起制备出结构复杂的微通道结构，覆铜过程中各层铜片保持原有结构，且各层铜片间结合紧密、强度高，满足高压液体压强要求（≥0.5MPa）；同时，选择铜材制备的微通道具有超高热导率（铜热导率仅次于银），散热效率极高。 | ||
| 搜索关键词： | 铜片 散热基板 清洗 镂空图形 烧结 热导率 预氧化 堆叠 覆铜 制备 压强 微通道结构 高压液体 散热效率 铜片表面 承烧板 定位孔 微通道 镀金 多层 基板 刻蚀 平铺 铜材 制作 | ||
【主权项】：
1.一种散热基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：a、清洗铜片表面，设计每层铜片图形同时设定定位孔；b、刻蚀步骤a中的铜片，制得带有目标镂空图形的铜片；c、清洗所述带有目标镂空图形的铜片，对清洗后的铜片的两面进行预氧化；d、将预氧化后的铜片堆叠后平铺于承烧板上并对铜片定位后，烧结；e、将烧结后的基板进行表面及内部镀金处理，制得散热基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
